یادگیری و پیشرفت
:::::::::::::::: ::::::::::::::::
دیجیتال مارکتینگ
:::::::::::::::: ::::::::::::::::
رشد کسب‌وکار
:::::::::::::::: ::::::::::::::::
صنعت آموزش


عضو شوید


نام کاربری
رمز عبور

:: فراموشی رمز عبور؟

عضویت سریع

نام کاربری
رمز عبور
تکرار رمز
ایمیل
کد تصویری
براي اطلاع از آپيدت شدن وبلاگ در خبرنامه وبلاگ عضو شويد تا جديدترين مطالب به ايميل شما ارسال شود



تاریخ : یک شنبه 8 ارديبهشت 1398
بازدید : 131
نویسنده : کیا فایل

دانلود تحقیق بررسی نانو لوله های کربنی و اثر میدانی نانو لوله ها

دانلود تحقیق بررسی نانو لوله های کربنی و اثر میدانی نانو لوله ها

 

 

 

 

قسمتی از محصول:

چکیده:

پس از کشف نانولوله­های کربنی توسط ایجیما و همکارانش بررسی­های بسیار زیادی بر روی این ساختارها در سایر علوم انجام شده است.

این ساختارها به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان داده ­اند

جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد.

در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله­های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیم

و نحوه­ی توزیع جریان در ترانزیستور­های اثر میدانی را در شرایط دمایی و میدان­های مختلف بررسی کرده ایم.

از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده­های کامپوتری از اهمیت ویژه­ای برخوردار است،

انتخاب نانولوله­ای که تحرک پذیری بالایی داشته باشد بسیار مهم است.

نتایج بررسی­ها نشان می­دهد تحرک پذیری الکترون در نانولوله­­های کربنی متفاوت به ازای میدان­های مختلفی که در طول نانولوله­ها اعمال شود،

مقدار بیشینه­ای را خواهد گرفت. بنا بر این در طراحی ترانزیستورها با توجه به مشخصه­ های هندسی ترانزیستور

و اختلاف پتانسیلی که بین چشمه و دررو آن اعمال می­شود باید نانولوله­ای را انتخاب کرد که تحرک پذیری مناسبی داشته باشد.




مقدمه:

با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده­ای بالا رفته است. گوردن مور معاون ارشد شرکت اینتل در سال 1965 نظریه­ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر 18 ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می­رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می­شود. این کوچک شدگی نگرانی­هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال 2010 باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده می­کند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد. جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در...

 

جزئیات محصول:

فرمت فایل: ورد word

قابل ویرایش:بله

تعداد صفحات:93

 

توجه : پس از پرداخت، لینک دانلود برای شما نمایش داده خواهد شد و به ایمیل ثبت شده نیز لینک دانلود ارسال میگردد.

« این فایل با کیفیت بسیار مطلوب و مناسب، آماده خرید اینترنتی می‌باشد. »

 

 

 



:: موضوعات مرتبط: فنی و مهندسی , برق , ,
:: برچسب‌ها: فایل , نانولوله­ ی کربنی , ترانزیستور اثر میدانی , مدل ثابت نیرو , تحرک­ پذیری الکترون ,

صفحه قبل 1 2 3 4 5 ... 216 صفحه بعد

فروشگاه فایل کیا؛ منبع جامع انواع فایل... چنانچه فایل مد نظرشما در بین فایل های بارگذاری شده در سایت موجود نبود،می توانید از طریق دایرکت پیج اینستاگرام@kiyafile.ir سفارش دهید.

نام :
وب :
پیام :
2+2=:
(Refresh)

تبادل لینک هوشمند

برای تبادل لینک ابتدا ما را با عنوان منبع جامع انواع فایل و آدرس kiyafile.ir لینک نمایید سپس مشخصات لینک خود را در زیر نوشته . در صورت وجود لینک ما در سایت شما لینکتان به طور خودکار در سایت ما قرار میگیرد.











RSS

Powered By
loxblog.Com
مدیر سبز، آموزش بازاریابی

TOOLS BLOG

TOOLS BLOG